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篇名: Intel將於上半年供應128
作者: tomhuang	日期: 2007.03.11　　天氣: 　心情:

Intel將於上半年供應128-Mb phase change記憶體樣品

根據EE Times Europe報導，Intel準備在今(2007)年上半年開始對客戶供應90-nm 128-Mbit phase change記憶體的樣品，大量生產有可能在今年底之前展開，但取決於客戶的反應。這種新型態的記憶體，被視為可以取代NOR快閃記憶體，它可以被廣泛用在許多應用中，在某些系統也可以取代DRAM。

Intel自從2000年以來就向Energy Conversion Devices所屬的Ovonyx取得chalcogenide phase change技術的使用授權；而Energy Conversion Devices之前已在推廣這個技術超過三十年，但一直沒有獲致商業上的成功。Intel在2006年六月與STMicroelectronics共同宣佈它們將攜手開發chalcogenide phase-change記憶體，希望它未來可以取代快閃記憶體。

Intel希望透過上述這些樣品，讓客戶熟悉相關技術，並且協助該公司建構新世代元件。該公司並且強調這個技術對於溫度有很強的適應力，應該可以符合溫度範圍比較大的工業應用。業界對於phase-change與其他non-volatile記憶體的興趣在過去五、六年來大幅提高，主要就是顧慮到快閃記憶體的發展有其限制。Qimonda也在與IBM及Macronix共同開發phase-change技術。另外，在今年二月份的ISSCC會議中，Renesas Technology與Hitachi也討論了一款phase-change記憶體模組，它可整合到嵌入式系統的微控制器中。

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